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研究成果與看點(diǎn)：研究團(tuán)隊(duì)提出了一種創(chuàng)新的雙配體鈍化(Dual-Ligand Passivation, DLP)方法，成功解決了傳統(tǒng) 2D/3D 鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2D鈣鈦礦量子阱寬度分布不均勻 的問(wèn)題。此研究的主要成就包含：●實(shí)現(xiàn)純相2D鈍化層：利用 MeCZEAI 和 mFPEAI 兩種配體共沉積，精準(zhǔn)控制2D鈣鈦礦的成核與生長(zhǎng)，形成均勻的n=12D相鈍化層，解決了傳統(tǒng)單配體鈍化造成的2D相分布不均的問(wèn)題。●提升器件效能：采用DLP策略的組件，0.05 cm2 面積的組件效率達(dá)到 25.86%，
研究成就與看點(diǎn)：本研究發(fā)表于《Environmental Science: Energy & Fuels》(EES)期刊，成功開(kāi)發(fā)出一種利用流動(dòng)液相誘導(dǎo)碘化銫鉛（CsPbI3）鈣鈦礦結(jié)晶的策略，顯著提升了太陽(yáng)能電池的效能。該方法采用 甲酸銨（AFMS）作為添加劑，在退火過(guò)程中形成流動(dòng)液相，改變了反應(yīng)途徑，降低了反應(yīng)能壘和能量需求，并實(shí)現(xiàn)了均勻薄膜的制備。最終，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）達(dá)到21.85%，同時(shí)開(kāi)路電壓（Voc）損失僅為0.47V， 這是目前文獻(xiàn)中報(bào)導(dǎo)的純碘化銫鉛鈣鈦礦
前言隨著鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(Perovskite Solar Cells, PSC) 的快速發(fā)展，如何同時(shí)提升其效率與穩(wěn)定性成為當(dāng)前研究的核心挑戰(zhàn)。 本研究以《Homologous Molecule Treatment in Perovskite Solar Cells: Synergistic Management of Holistic Defect and Charge Transfer》為題，提出了一種基于脒基硫脲 (AT) 和 1-苯基-3-胍基硫脲 (PGT) 分子的創(chuàng)新策略，通過(guò)協(xié)同
研究成就與看點(diǎn)：本研究提出了一種創(chuàng)新的共沸物溶劑策略，用于大面積打印自組裝單分子層（SAM）作為有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSC）的空穴選擇層。通過(guò)使用IPA和甲苯的共沸混合溶劑，成功制備了高質(zhì)量、均勻且穩(wěn)定的Cbz-2Ph SAM，并有效地改善了ITO基板的功函數(shù)。基于共沸物處理的SAM，采用全打印p-i-n堆棧結(jié)構(gòu)制備的OSC器件，小面積（0.04 cm2）效率達(dá)到了18.89%，大面積（1.008 cm2）效率達(dá)到了17.76%，創(chuàng)造了目前1 cm2全打印OSC的高效率紀(jì)錄。共沸物處理的SAM器件還
有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSC）以低成本、輕量化和柔性等優(yōu)勢(shì)吸引廣泛關(guān)注，但其效率和穩(wěn)定性受限于活性層形貌對(duì)加工溶劑的敏感性。傳統(tǒng)鹵代溶劑加工雖性能優(yōu)異，卻因環(huán)境危害難以商業(yè)化。本研究設(shè)計(jì)新型受體材料 BTP-TO2，透過(guò)結(jié)合 OEG 側(cè)鏈，實(shí)現(xiàn)鹵代與非鹵代溶劑間穩(wěn)定形貌并達(dá)到約 19% 的高效率，為 OSC 的高效、穩(wěn)定與環(huán)?；峁┬侣窂健?1. 研究成就與看點(diǎn):本研究開(kāi)發(fā)了一種新型受體材料BTP-TO2，該材料在各種溶劑中處理后，都能形成相似的活性層形貌，并始終保持在19%左右的高功率轉(zhuǎn)換效率 (P
一、研究成就與亮點(diǎn)此研究實(shí)現(xiàn)了具有 1.01 eV 帶隙的窄帶隙 Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) 太陽(yáng)能電池，經(jīng)認(rèn)證的功率轉(zhuǎn)換效率 (PCE) 達(dá)到 20.26%，創(chuàng)下同類電池效率的新紀(jì)錄該電池展現(xiàn)了 368 mV 的低開(kāi)路電壓損耗 (Voc,def)，并在四端迭層結(jié)構(gòu)中貢獻(xiàn)了 10% 的絕對(duì)效率，同樣創(chuàng)下新高。這些成就主要?dú)w功于研究中提出的三階段奈米級(jí)控制策略：通過(guò)在吸收層生長(zhǎng)最后階段添加鎵 (Ga)，在 p-n 結(jié)區(qū)域內(nèi)形成 Ga 前梯度，有效抑制 Ga 和銦 (In) 的相互擴(kuò)散
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